長城證券-功率半導體行業深度報告：八大維度解析，功率公司碳化硅/IGBT/分立器件哪家強？-220928

　　功率半導體趨勢：圍繞性能升級，向更高頻高壓領域進發

　　●功率半導體分類：功率分立器件+功率模塊+功率IC

　　●市場結構化演變，轉向高頻高壓領域：二極管、三極管、晶閘管→主流的MOSFET、IGBT

　　●行業未來發展趨勢：（1）內部結構迭代升級；（2）功能模塊集成度升級；（3）寬禁帶材料替代突破硅限

　　公司橫向對比：各有千秋，時代、斯達、BYD產品優勢凸顯

　　產品線布局的廣度：聞泰科技、華潤微布局最全（覆蓋80%），士蘭微其次（覆蓋73%）；第三代半導體器件布局趨向全面，九成以上公司布局SiC賽道。http://www.hibor.com.cn【慧博投研資訊】

　　產品技術深度：IGBT：斯達、時代、BYD、士蘭微對標國際英飛凌最新Gen.7；SiC：斯達、時代、BYD領先車規級SiC模塊；GaN：聞泰、三安、華潤微領先8英寸硅基GaN器件。http://www.hibor.com.cn（慧博投研資訊）

　　產品議價能力：時代、BYD、斯達以IGBT模塊產品均價高于百元量級，其他公司均價個位數；一些公司在第三代半導體價格端優勢顯現：泰科天潤SiC二極管均價兩位數，安世GaN晶體管均價上百元，斯達SiCMOSFET模塊均價高達幾千元。

　　實際經營情況：(1)聞泰科技體量最大，營收達138億元；(2)東微半導人均創收1043萬元，管理效率最高；(3)聞泰科技研發支出最高，高達37億元；(4)圣邦微PMIC盈利能力最強，毛利率高達53%；(5)聞泰科技、蘇州固锝運營能力最強，存貨周轉天數僅45天、48天。

　　投資建議：IGBT賽道和第三代半導體賽道“龍頭低估”&“小而美”

　　持續看好半導體國產替代趨勢，重點關注IGBT及SiC布局的相關公司。隨著車規級IGBT需求驅動以及第三代半導體加速滲透，持續看好IGBT和SiC&GaN布局的“小而美”成長型公司，其中重點關注斯達半導、BYD半導、時代電氣等。同時“龍頭賽道”具備長期配置價值，重點關注聞泰科技、華潤微、士蘭微等。

　　風險提示

　　宏觀經濟波動、新冠疫情反復等系統性風險

　　政策利好可能低于預期

　　半導體貿易戰加劇導致產業鏈發展國產化進程可能低于預期

　　半導體產業鏈可能存在供大于求導致價格下降

　　下游需求可能低于預期