長城證券-碳化硅行業深度報告：乘新能源之風，行業需求有望高增-221013

　　碳化硅是第三代半導體重要基礎材料，襯底是產業鏈最核心環節：SiC是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導體材料，SiC材料具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等特性，相比硅基器件具有耐高壓、耐高溫、功耗低、體積小、重量輕等優勢。http://www.hibor.com.cn【慧博投研資訊】SiC產業鏈主要包括襯底、外延、器件制造及下游應用四大環節。http://www.hibor.com.cn（慧博投研資訊）

　　需求端：電動車技術升級拉動市場擴容，低耗優勢契合能源發展潮流：目前SiC主要應用于汽車、能工業、交通運輸、通信等領域，主要產品形式有電動車逆變器、車載充電器、DC/DC變換器、充電裝置、光電能量轉換器和鐵路。行業市場空間方面，根據Yole預測，2021年到2027年，SiC器件市場規模將由10.9億美元增長至63.0億美元，CAGR將超過34%。目前多個整車廠例如特斯拉，比亞迪，蔚來等車企搭載SiC模塊，800V平臺的應用能夠大幅提高電動汽車的充電效率，提升續航里程。未來SiC在新能源汽車滲透率有望持續提升。

　　供給端：襯底成制造工藝關鍵點，國內廠商加速崛起：碳化硅產業鏈中，襯底材料是產業鏈的基礎，產業鏈價值占比達46%，處于核心地位。從SiC晶圓成本來看，襯底成本占比44%，良率損失占比32%，提高良率是SiC降本的核心。SiC襯底競爭格局方面，Wolfspeed占據了45%市場份額，Rohm排名占據20%市場份額，國內天科合達和山東天岳分別占據5%和3%市場份額。SiC器件競爭格局方面，ST占據40%市場份額，英飛凌占據22%市場份額。海外大廠大力擴產占據主要市場，而國內廠商正加速布局，國產化率有望持續提升。

　　投資建議：斯達半導、時代電氣、天岳先進、三安光電、士蘭微。

　　風險提示：市場需求不達預期；中美經貿摩擦、新冠肺炎疫情等外部環境風險；原材料價格波動和供應風險，SiC襯底成本高昂制約下游應用發展的風險。